一、背景
隨著電子器件朝著小型化、便攜化方向發(fā)展,電子器件的組裝也越來越集約化。撓性線路板,由于其具有體積小、重量輕、線路密度高等優(yōu)點(diǎn),逐漸地取代了傳統(tǒng)導(dǎo)線在電子器件組裝的作用。從近幾年來,撓性線路板(FPC)占印制線路板(PCB)市場(chǎng)份額從不足10 %提高至20 %以上,也證明了FPC市場(chǎng)需求的發(fā)展。
FPC作為電子器件中的連接線,主要是起到導(dǎo)通電流和傳輸信號(hào)的作用。當(dāng)信號(hào)傳輸線分布在FPC最外層時(shí),為了避免信號(hào)傳輸過程受到電磁干擾而引起信號(hào)失真,F(xiàn)PC在壓合覆蓋膜后會(huì)再壓合一層導(dǎo)電層(電磁屏蔽膜),起到屏蔽外面電磁干擾的作用。其中最常見的是數(shù)碼相機(jī)中作為圖像信號(hào)傳輸?shù)腇PC。作為傳輸線的FPC通常有著特殊的阻抗要求,但壓合電磁屏蔽膜后的FPC結(jié)構(gòu)出現(xiàn)變化,其阻抗計(jì)算方式也需要進(jìn)行修正。因此,本文通過FPC壓合電磁屏蔽膜后的阻抗變化研究,修正其阻抗計(jì)算方式,為FPC壓合電磁屏蔽工程設(shè)計(jì)時(shí)提供參考。
二、試驗(yàn)設(shè)計(jì)
1.試驗(yàn)材料
PI基無膠板材:PI厚 2 mil,銅厚0.5/0.5 OZ;
覆蓋膜:PI厚 0.5~2 mil,膠厚25~35 μm;
電磁屏蔽膜:導(dǎo)電膠厚 10 um,PI厚 6-10 μm。
試驗(yàn)、測(cè)試設(shè)備及條件
快壓機(jī)、網(wǎng)絡(luò)分析儀。
2.試板疊層
3.試驗(yàn)參數(shù)
4.結(jié)果與討論
撓性板阻抗的變化
壓合電磁屏蔽膜的撓性板一般為雙面板,頂層分布信號(hào)傳輸線路,底層為接地層。實(shí)驗(yàn)采用了雙面撓性板結(jié)構(gòu),以蝕刻后的線路阻抗為基準(zhǔn),分別設(shè)計(jì)了單端線路25~50 Ohm和差分線路50~100 Ohm,依次在線路蝕刻后、壓合CVL后、壓屏蔽膜后測(cè)試線路的阻抗值,結(jié)果如表1所示。
在線路蝕刻后,實(shí)測(cè)阻抗線的阻抗值與設(shè)計(jì)值僅有0.5~3.0 Ohm的偏差。從偏差的百分比來看,所有阻抗線的阻抗值與設(shè)計(jì)值的偏差于小于5 %。對(duì)于雙面撓性板而言,其基材與面銅的厚度相對(duì)穩(wěn)定。因此,可以說通過蝕刻過程對(duì)線寬的控制以達(dá)到對(duì)線路阻抗的精確控制。
從不同流程后的線路阻抗對(duì)比上可以看出,在蝕刻后的線路上依次壓合CVL、電磁屏蔽膜后其阻抗值均呈現(xiàn)下降,如表2所示。
對(duì)比雙面撓性板分別在壓合CVL后和壓合電磁屏蔽膜后的阻抗變化量,壓合CVL后的阻抗減少量遠(yuǎn)小于壓合電磁屏蔽膜后的阻抗減少量??梢?,壓合電磁屏蔽膜后的阻抗計(jì)算模式不同于壓合CVL的。因此,需要對(duì)壓合電磁屏蔽膜后的撓性板阻抗計(jì)算方式進(jìn)行確認(rèn)。
4.不同阻抗計(jì)算模型對(duì)比
目前,撓性板壓合CVL的阻抗計(jì)算主要是采用圖1中模式A進(jìn)行計(jì)算,將CVL當(dāng)作線路上的介質(zhì)層。結(jié)合以往的研究經(jīng)驗(yàn),采用純膠層介電常數(shù)為2.0,PI層介電常數(shù)為2.7,通過實(shí)際測(cè)量的線寬/線距,可計(jì)算出雙面撓性板壓合CVL后的理論阻抗,并與實(shí)際測(cè)試的阻抗作對(duì)比,結(jié)果如表3所示。
壓合CVL后的撓性板理論阻抗值與實(shí)際測(cè)量值非常接近,兩者的偏差均在1%以內(nèi)。由此可見,采用圖1中的模式A可以很好地模擬撓性板壓合CVL的理論阻抗。
對(duì)于撓性板壓合電磁屏蔽膜后的理論阻抗計(jì)算,目前存在著兩種方式:一是將電磁屏蔽膜當(dāng)成一層介質(zhì)層,即采用圖1中模式A進(jìn)行計(jì)算,這種模式將雙面撓性板的線路視為外層微帶線的結(jié)構(gòu);二是將電磁屏蔽膜的導(dǎo)電層當(dāng)作成一層銅皮,即采用圖1中模式B進(jìn)行計(jì)算,這種模式將雙面撓性板的線路視為內(nèi)層帶狀線的結(jié)構(gòu)。將供應(yīng)商所提供的電磁屏蔽膜介電常數(shù)68.3、純膠層介電常數(shù)為2.0和PI層介電常數(shù)為2.7,分別采用圖1中的模式A和模式B并根據(jù)實(shí)測(cè)的線寬線距進(jìn)行理論阻抗計(jì)算,結(jié)果如表4所示。
采用外層微帶線的模式A結(jié)構(gòu)進(jìn)行壓合電磁屏蔽膜的雙面撓性板理論阻抗計(jì)算時(shí),理論阻抗與實(shí)測(cè)阻抗存在著8.81~36.10 %的偏差。而采用內(nèi)層帶狀線的模式B結(jié)構(gòu)進(jìn)行壓合電磁屏蔽膜的雙面撓性板理論阻抗計(jì)算成本時(shí),理論阻抗與實(shí)測(cè)阻抗之間的偏差均在4 %以內(nèi)。比起模式A,采用模式B計(jì)算雙面撓性板壓合電磁屏蔽后的理論阻抗更加準(zhǔn)確。由此可見,雙面撓性板壓合電磁屏蔽后的理論阻抗應(yīng)當(dāng)采用內(nèi)層帶狀線的結(jié)構(gòu),將電磁屏蔽膜視為一層銅箔。
5.覆蓋膜PI/膠厚對(duì)阻抗的影響
當(dāng)雙面撓性板壓合電磁屏蔽膜采用內(nèi)層帶狀線的結(jié)構(gòu)進(jìn)行理論阻抗計(jì)算,覆蓋膜則成了雙面撓性板線路上的介質(zhì)層。而從以往的研究經(jīng)驗(yàn)可知,為了使得雙面撓性板的理論阻抗更值接近實(shí)際測(cè)量阻抗值,我們將覆蓋膜的PI與純膠分別作為不同的介質(zhì)進(jìn)行區(qū)分。因此,覆蓋膜PI厚度或純膠厚度的變化也會(huì)影響到撓性板的阻抗變化。實(shí)驗(yàn)分別對(duì)比了在CVL中0.5~2.0mil的PI厚度和15~35μm的純膠厚度,結(jié)果如表5-6所示。
阻抗理論值1是統(tǒng)一采用PI介電常數(shù)為2.7進(jìn)行計(jì)算的,0.5 mil和2 mil厚PI的理論值與阻抗實(shí)測(cè)值的偏差均超過了5%。而根據(jù)PI的厚度對(duì)PI的介電常數(shù)進(jìn)行調(diào)整,分別調(diào)整為0.5 mil厚PI的介電常數(shù)為2.5、2.0 mil厚PI的介電常數(shù)為3.1,所計(jì)算出的阻抗理論值2與實(shí)測(cè)值偏差均小3 %。因此,需要針對(duì)不同CVL的PI厚度對(duì)其介電常數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
而從表6中CVL的不同純膠厚度對(duì)比可以看出,純膠按介電常數(shù)2.0進(jìn)行計(jì)算所得的阻抗理論值與實(shí)測(cè)值偏差均小于2.5 %。也即是說,CVL的純膠可以按統(tǒng)一的介電常數(shù)進(jìn)行計(jì)算。
為了驗(yàn)證以上分析過程中正確性,實(shí)驗(yàn)采用了不同CVL的PI厚度和純膠厚度,分別測(cè)試的實(shí)際阻抗值與理論阻抗值,結(jié)果如表7所示。從表7中可以看出壓合電磁屏蔽膜的撓性板其阻抗實(shí)測(cè)值與理論值偏差均小于5 %,即通過以上的分析可以正確地預(yù)估壓合電磁屏蔽膜撓性板的理論阻抗值。
三、結(jié)論
通過以上的分析可以得到以下幾點(diǎn)結(jié)論:
對(duì)于撓性板壓合電磁屏蔽膜來說,阻抗值計(jì)算可采用內(nèi)層帶狀線結(jié)構(gòu)的計(jì)算方式進(jìn)行;
CVL的PI介電常數(shù)需要根據(jù)厚度進(jìn)行調(diào)整。
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